ON Semiconductor FDU6N50TU

工厂交货时间

5 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

质量

343.08mg

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

25 ns

Power Dissipation (Max)

89W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6A Tc

已出版

2013

系列

UniFET™

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

89W

接通延迟时间

6 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

900m Ω @ 3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

940pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

16.6nC @ 10V

上升时间

55ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

35 ns

连续放电电流(ID)

6A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6A

漏极-源极导通最大电阻

0.9Ohm

漏源击穿电压

500V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

24A

雪崩能量等级（Eas）

270 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无