ON Semiconductor FDW2520C
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FDW2520C
1807-FDW2520C
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
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MOSFET N/P-CH 20V 6A/4.4A 8TSSOP
--最小包装量--
FDW2520C详情
ON Semiconductor FDW2520C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
引脚数
8
供应商器件包装
8-TSSOP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6A 4.4A
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
60 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2000
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
600mW
额定电流
6A
功率耗散
1W
功率 - 最大
600mW
场效应管类型
N and P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
18mOhm @ 6A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1325pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
20nC @ 4.5V
上升时间
19ns
漏源电压 (Vdss)
20V
连续放电电流(ID)
6A
阈值电压
1V
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
20V
输入电容
1.325nF
场效应管特性
逻辑电平门
漏源电阻
35mOhm
最大rds
18 mΩ
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FDW2520C拓展信息









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