ON Semiconductor FDZ663P

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-XFBGA, WLCSP

引脚数

4

质量

67mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.7A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.3W Ta

Turn Off Delay Time

67 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1.2V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.3W

接通延迟时间

4.8 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

134m Ω @ 2A, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

525pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

8.2nC @ 4.5V

上升时间

6.2ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±8V

下降时间（典型值）

32 ns

连续放电电流(ID)

2.7A

栅极至源极电压(Vgs)

8V

漏源击穿电压

-20V

反馈上限-最大值 (Crss)

80 pF

高度

150μm

长度

800μm

宽度

800μm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅