ON Semiconductor FGA30N120FTDTU

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

10 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

引脚数

3

质量

6.401g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

2V

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

198 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2004

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

339W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

339W

输入类型

Standard

接通延迟时间

31 ns

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

60A

反向恢复时间

730ns

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

167 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2V @ 15V, 30A

关断时间-标准值（toff)

575 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

208nC

集极脉冲电流（Icm）

90A

栅极-发射极电压-最大值

25V

栅极-发射极Thr电压-最大值

7.5V

高度

20.1mm

长度

15.8mm

宽度

5mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅