ON Semiconductor FGA50S110P

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

15 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

引脚数

3

质量

6.401g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.1kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.7V

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

300W

元素配置

Single

功率耗散

300W

输入类型

Standard

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.1kV

最大集电极电流

50A

电压 - 集射极击穿（最大值）

1100V

接通时间

370 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.6V @ 15V, 50A

关断时间-标准值（toff)

492 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

195nC

集极脉冲电流（Icm）

120A

栅极-发射极电压-最大值

25V

栅极-发射极Thr电压-最大值

7.5V

高度

20.1mm

长度

15.8mm

宽度

5mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant