ON Semiconductor FGP10N60UNDF

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

4 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.3V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 10A, 10 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

55 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

139W

元素配置

Single

功率耗散

139W

输入类型

Standard

接通延迟时间

8.1 ns

晶体管应用

MOTOR CONTROL

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

20A

反向恢复时间

37.7 ns

JEDEC-95代码

TO-220AB

接通时间

15.4 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.45V @ 15V, 10A

关断时间-标准值（toff)

89.3 ns

IGBT类型

NPT

闸门收费

37nC

集极脉冲电流（Icm）

30A

Td（开/关）@25°C

8ns/52.2ns

开关能量

150μJ (on), 50μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

8.5V

最大下降时间 (tf)

24.8ns

高度

16.51mm

长度

10.67mm

宽度

4.83mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅