ON Semiconductor FJAF4210RTU

生命周期状态

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago)

工厂交货时间

6 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3 Full Pack

引脚数

3

质量

6.962g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

140V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-500mV

Number of Elements

1

hFEMin

50

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

2017

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-140V

最大功率耗散

80W

额定电流

-10A

频率

30MHz

元素配置

Single

功率耗散

80W

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

30MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

140V

最大集电极电流

10A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

50 @ 3A 4V

最大集极截止电流

10μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 500mA, 5A

转换频率

30MHz

集电极基极电压(VCBO)

-200V

发射极基极电压 (VEBO)

-6V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅