ON Semiconductor FJD5553TM

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

4 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

质量

260.37mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

400V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Number of Elements

1

hFEMin

30

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

1.25W

终端形式

鸥翼

基本部件号

FJD5553

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

功率耗散

1.25W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

400V

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 400mA 3V

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 200mA, 1A

最大击穿电压

400V

集电极基极电压(VCBO)

1.05kV

发射极基极电压 (VEBO)

14V

高度

2.39mm

长度

6.73mm

宽度

6.22mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅