ON Semiconductor FJP13009

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

400V

Number of Elements

1

hFEMin

6

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

400V

最大功率耗散

100W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

12A

频率

4MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

FJP13009

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

100W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

4MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

400V

最大集电极电流

12A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

8 @ 5A 5V

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 3A, 12A

转换频率

4MHz

集电极基极电压(VCBO)

700V

发射极基极电压 (VEBO)

9V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅