ON Semiconductor FJP13009H2TU

工厂交货时间

8 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

hFEMin

6

Number of Elements

1

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

400V

已出版

2017

包装

Tube

操作温度

150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

400V

最大功率耗散

100W

额定电流

12A

频率

4MHz

基本部件号

FJP13009

元素配置

Single

功率耗散

100W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

4MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

400V

最大集电极电流

12A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

15 @ 5A 5V

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 3A, 12A

转换频率

4MHz

集电极基极电压(VCBO)

700V

发射极基极电压 (VEBO)

9V

宽度

4.5mm

长度

9.9mm

高度

9.2mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅