ON Semiconductor FJP5555TU

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

14 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

400V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5V

Number of Elements

1

hFEMin

20

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

2011

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

400V

最大功率耗散

75W

额定电流

5A

元素配置

Single

功率耗散

75W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

400V

最大集电极电流

5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 800mA 3V

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 1A, 3.5A

集电极基极电压(VCBO)

1.05kV

发射极基极电压 (VEBO)

14V

高度

16.51mm

长度

10.67mm

宽度

4.83mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅