ON Semiconductor FJV992FMTF

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

13 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

质量

30mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

120V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-300mV

Number of Elements

1

hFEMin

200

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2004

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-120V

最大功率耗散

300mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

-50mA

频率

50MHz

基本部件号

FJV992

元素配置

Single

功率耗散

300mW

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

50MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

120V

最大集电极电流

50mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

300 @ 1mA 6V

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 1mA, 10mA

转换频率

50MHz

最大击穿电压

120V

集电极基极电压(VCBO)

-120V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

高度

1.04mm

长度

2.9mm

宽度

1.3mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅