ON Semiconductor FMBA56

生命周期状态

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工厂交货时间

6 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

引脚数

6

质量

36mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Collector-Emitter Saturation Voltage

250mV

Number of Elements

2

hFEMin

100

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-80V

最大功率耗散

700mW

终端形式

鸥翼

额定电流

-500mA

频率

50MHz

基本部件号

FMBA56

元素配置

Dual

功率耗散

700mW

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

50MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 100mA 1V

最大集极截止电流

100nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 10mA, 100mA

转换频率

50MHz

最大击穿电压

80V

集电极基极电压(VCBO)

-80V

发射极基极电压 (VEBO)

-4V

高度

1mm

长度

3mm

宽度

1.7mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅