FMM7G30US60N
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ON Semiconductor FMM7G30US60N

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型号

FMM7G30US60N

utmel 编号

1807-FMM7G30US60N

商品类别

晶体管 - IGBT - 模块

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 30A I(C), 600V V(BR)CES, N-CHANNEL

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FMM7G30US60N
FMM7G30US60N ON Semiconductor INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 30A I(C), 600V V(BR)CES, N-CHANNEL

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FMM7G30US60N详情

ON Semiconductor FMM7G30US60N重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    24

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package

    Bulk

  • 厂商

    PEI-Genesis

  • Product Status

    活跃

  • Package Description

    24PM-AA, 24 PIN

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Risk Rank

    5.66

  • Ihs Manufacturer

    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Number of Elements

    7

  • Manufacturer

    Fairchild Semiconductor Corporation

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer Part Number

    FMM7G30US60N

  • Rohs Code

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Turn-off Time-Nom (toff)

    350 ns

  • Turn-on Time-Nom (ton)

    190 ns

  • Package Body Material

    UNSPECIFIED

  • 系列

    *

  • 附加功能

    低导通损耗

  • 子类别

    绝缘栅BIP晶体管

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    24

  • JESD-30代码

    R-XUFM-T24

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    COMPLEX

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 晶体管应用

    MOTOR CONTROL

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 最大耗散功率(Abs)

    104 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    30 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    600 V

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20 V

  • VCEsat-最大值

    2.7 V

0个相似型号

技术文档: ON Semiconductor FMM7G30US60N.

FMM7G30US60N拓展信息

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