ON Semiconductor FQU1N60CTU

工厂交货时间

4 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

质量

343.08mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Turn Off Delay Time

13 ns

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta 28W Tc

Number of Elements

1

系列

QFET®

已出版

2013

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

11.5Ohm

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

600V

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

1A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

接通延迟时间

7 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

11.5 Ω @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

170pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6.2nC @ 10V

上升时间

21ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

27 ns

连续放电电流(ID)

1A

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1A

漏源击穿电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

4A

高度

6.1mm

长度

6.6mm

宽度

2.3mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅