ON Semiconductor HGT1S14N36G3VLT
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HGT1S14N36G3VLT
1807-HGT1S14N36G3VLT
晶体管 - IGBT - 单个
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
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IGBT 390V 18A 100W TO262AA
1最小包装量--
HGT1S14N36G3VLT详情
ON Semiconductor HGT1S14N36G3VLT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Surface Mount, Through Hole
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
引脚数
3
供应商器件包装
I2PAK (TO-262)
Collector-Emitter Breakdown Voltage
390V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.6V
Current-Collector (Ic) (Max)
18A
Test Conditions
300V, 7A, 25Ohm, 5V
操作温度
-40°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-40°C
电压 - 额定直流
380V
最大功率耗散
100W
额定电流
18A
元素配置
Single
功率耗散
100W
输入类型
Logic
功率 - 最大
100W
集电极发射器电压(VCEO)
330V
最大集电极电流
18A
电压 - 集射极击穿(最大值)
390V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.2V @ 5V, 14A
闸门收费
24nC
Td(开/关)@25°C
-/7μs
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
HGT1S14N36G3VLT拓展信息
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