HGT1S14N36G3VLT
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ON Semiconductor HGT1S14N36G3VLT

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型号

HGT1S14N36G3VLT

utmel 编号

1807-HGT1S14N36G3VLT

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT 390V 18A 100W TO262AA

起订量

1最小包装量--

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HGT1S14N36G3VLT
HGT1S14N36G3VLT ON Semiconductor IGBT 390V 18A 100W TO262AA

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HGT1S14N36G3VLT详情

ON Semiconductor HGT1S14N36G3VLT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    Surface Mount, Through Hole

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

  • 引脚数

    3

  • 供应商器件包装

    I2PAK (TO-262)

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    390V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    1.6V

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    18A

  • Test Conditions

    300V, 7A, 25Ohm, 5V

  • 操作温度

    -40°C~175°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -40°C

  • 电压 - 额定直流

    380V

  • 最大功率耗散

    100W

  • 额定电流

    18A

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    100W

  • 输入类型

    Logic

  • 功率 - 最大

    100W

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    330V

  • 最大集电极电流

    18A

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    390V

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2.2V @ 5V, 14A

  • 闸门收费

    24nC

  • Td(开/关)@25°C

    -/7μs

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

右边的3个型号有着和ON Semiconductor & HGT1S14N36G3VLT相似的参数规格。

  • 图片
    产品型号
    品牌
    Mount
    Package / Case
    Collector Emitter Breakdown Voltage
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
    Max Collector Current
    Max Power Dissipation
    Power Dissipation
    Collector Emitter Saturation Voltage
    查看对比:
  • HGT1S14N36G3VLT

    HGT1S14N36G3VLT

    Surface Mount, Through Hole

    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

    390 V

    390V

    18 A

    100 W

    100 W

    1.6 V

  • IRG6I320UPBF

    Through Hole

    TO-220-3

    330 V

    330V

    24 A

    39 W

    39 W

    1.65 V

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HGT1S14N36G3VLT拓展信息

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