ON Semiconductor HGT1S7N60A4DS

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.9V

Test Conditions

390V, 7A, 25 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最大功率耗散

125W

元素配置

Single

功率耗散

125W

输入类型

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

34A

反向恢复时间

22 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.7V @ 15V, 7A

闸门收费

37nC

集极脉冲电流（Icm）

56A

Td（开/关）@25°C

11ns/100ns

开关能量

55μJ (on), 60μJ (off)

RoHS状态

符合RoHS标准