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ON Semiconductor HGTG20N60B3D

Name: HGTG20N60B3D
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-HGTG20N60B3D
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

HGTG20N60B3D

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-HGTG20N60B3D

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-247-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG20N60B3DIGBT Single Transistor, General Purpose, 40 A, 1.8 V, 165 W, 600 V, TO-247, 3 Pins

起订量

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HGTG20N60B3D ON Semiconductor FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG20N60B3DIGBT Single Transistor, General Purpose, 40 A, 1.8 V, 165 W, 600 V, TO-247, 3 Pins

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型号对比

ON Semiconductor HGTG20N60B3D重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
生命周期状态

ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
底架

通孔
安装类型

通孔
包装/外壳

TO-247-3
引脚数

3
质量

6.39g
晶体管元件材料

SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V
Collector-Emitter Saturation Voltage

1.8V
Number of Elements

1
Turn Off Delay Time

220 ns
操作温度

-40°C~150°C TJ
包装

Tube
已出版

2011
JESD-609代码

e3
无铅代码

yes
零件状态

不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终止次数

3
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin (Sn)
附加功能

低导通损耗
HTS代码

8541.29.00.95
电压 - 额定直流

600V
最大功率耗散

165W
额定电流

20A
基本部件号

HGTG20N60
极性

NPN
元素配置

Single
功率耗散

165W
箱体转运

COLLECTOR
输入类型

Standard
接通延迟时间

25 ns
晶体管应用

MOTOR CONTROL
上升时间

20ns
集电极发射器电压(VCEO)

600V
最大集电极电流

40A
反向恢复时间

55ns
最大击穿电压

600V
接通时间

45 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2V @ 15V, 20A
关断时间-标准值（toff)

360 ns
闸门收费

80nC
集极脉冲电流（Icm）

160A
开关能量

475μJ (on), 1.05mJ (off)
达到SVHC

无SVHC
辐射硬化

无
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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