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ON Semiconductor HGTG30N60A4D

Name: HGTG30N60A4D
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-HGTG30N60A4D
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

HGTG30N60A4D

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-HGTG30N60A4D

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-247-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG30N60A4DIGBT Single Transistor, General Purpose, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 Pins

起订量

--最小包装量--

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HGTG30N60A4D ON Semiconductor FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG30N60A4DIGBT Single Transistor, General Purpose, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 Pins

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技术参数

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型号对比

ON Semiconductor HGTG30N60A4D重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
生命周期状态

ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间

5 Weeks
触点镀层

Tin
底架

通孔
安装类型

通孔
包装/外壳

TO-247-3
引脚数

3
质量

6.39g
晶体管元件材料

SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V
Collector-Emitter Saturation Voltage

1.8V
Number of Elements

1
Test Conditions

390V, 30A, 3 Ω, 15V
Turn Off Delay Time

150 ns
操作温度

-55°C~150°C TJ
包装

Tube
已出版

2016
JESD-609代码

e3
无铅代码

yes
零件状态

不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终止次数

3
ECCN 代码

EAR99
附加功能

低导通损耗
HTS代码

8541.29.00.95
电压 - 额定直流

600V
最大功率耗散

463W
额定电流

30A
基本部件号

HGTG30N60
元素配置

Single
功率耗散

463W
箱体转运

COLLECTOR
输入类型

Standard
接通延迟时间

25 ns
晶体管应用

电源控制
上升时间

12s
极性/通道类型

N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)

600V
最大集电极电流

75A
反向恢复时间

55ns
接通时间

35 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.6V @ 15V, 30A
关断时间-标准值（toff)

238 ns
闸门收费

225nC
集极脉冲电流（Icm）

240A
Td（开/关）@25°C

25ns/150ns
开关能量

280μJ (on), 240μJ (off)
高度

20.82mm
长度

15.87mm
宽度

4.82mm
达到SVHC

无SVHC
辐射硬化

无
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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技术文档: ON Semiconductor HGTG30N60A4D.

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