ON Semiconductor HGTG5N120BND

生命周期状态

ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

触点镀层

Tin

引脚数

3

质量

6.39g

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Test Conditions

960V, 5A, 25 Ω, 15V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.45V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

低导通损耗

HTS代码

8541.29.00.95

电压 - 额定直流

1.2kV

最大功率耗散

167W

额定电流

21A

元素配置

Single

功率耗散

167W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

晶体管应用

MOTOR CONTROL

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

21A

反向恢复时间

65 ns

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

最大击穿电压

600V

接通时间

35 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.7V @ 15V, 5A

连续集电极电流

21A

关断时间-标准值（toff)

357 ns

IGBT类型

NPT

闸门收费

53nC

集极脉冲电流（Icm）

40A

Td（开/关）@25°C

22ns/160ns

开关能量

450μJ (on), 390μJ (off)

长度

15.87mm

高度

20.82mm

宽度

4.82mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅