ON Semiconductor HUFA76407DK8T-F085

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101, UltraFET™

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

附加功能

ULTRA-LOW RESISTANCE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

2.5W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

90m Ω @ 3.8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

330pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11.2nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

60V

JEDEC-95代码

MS-012AA

DS 击穿电压-最小值

60V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

ROHS3 Compliant