ON Semiconductor IRFW530ATM

底架

表面贴装

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

EU RoHS

符合免除

ECCN (US)

EAR99

SVHC

有

SVHC Exceeds Threshold

有

Automotive

无

PPAP

无

Category

功率MOSFET

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Maximum Drain Source Voltage (V)

100

Maximum Continuous Drain Current (A)

14

Maximum Drain Source Resistance (MOhm)

110@10V

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

27@10V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

27

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

610@25V

Maximum Power Dissipation (mW)

3800

Typical Fall Time (ns)

36

Typical Rise Time (ns)

14

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

55

Typical Turn-On Delay Time (ns)

13

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

175

Mounting

表面贴装

Package Height

4.5

Package Width

9.2

Package Length

9.9

PCB changed

2

Tab

Tab

Standard Package Name

TO-263

Supplier Package

D2PAK

Lead Shape

Gull-wing

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

100 V

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

55 ns

Package Description

D2PAK-3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IRFW530ATM

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Fairchild Semiconductor Corporation

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.38

Part Package Code

D2PAK

Drain Current-Max (ID)

14 A

包装

卷带

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

14 A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

Single

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

55 W

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

14 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

14 A

JEDEC-95代码

TO-263AB

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

14 A

漏极-源极导通最大电阻

0.11 Ω

漏源击穿电压

100 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

56 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

信道型

N

雪崩能量等级（Eas）

261 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

3.8 W

漏源电阻

110 mΩ