ON Semiconductor J106

生命周期状态

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工厂交货时间

7 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

质量

201mg

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.21.00.95

电压 - 额定直流

25V

最大功率耗散

625mW

端子位置

BOTTOM

额定电流

200mA

极性

NPN

元素配置

Single

操作模式

DEPLETION MODE

功率耗散

625mW

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

漏源电压 (Vdss)

25V

连续放电电流(ID)

200mA

栅极至源极电压(Vgs)

25V

场效应管技术

JUNCTION

漏源电阻

6Ohm

漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)

200mA @ 15V

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)

2V @ 1μA

电阻-RDS(On)

6Ohm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅