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首页 分立半导体产品 晶体管 - JFET J106
J106
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ON Semiconductor J106

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  • 对比

型号

J106

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-J106

商品类别

晶体管 - JFET

封装

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

JFET N-CH 25V 625MW TO92

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J106
J106 ON Semiconductor JFET N-CH 25V 625MW TO92

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J106详情

技术参数

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型号对比

ON Semiconductor J106重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 生命周期状态

    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)

  • 工厂交货时间

    7 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

  • 引脚数

    3

  • 质量

    201mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    1

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Bulk

  • 已出版

    2013

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • HTS代码

    8541.21.00.95

  • 电压 - 额定直流

    25V

  • 最大功率耗散

    625mW

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 额定电流

    200mA

  • 极性

    NPN

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    DEPLETION MODE

  • 功率耗散

    625mW

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 漏源电压 (Vdss)

    25V

  • 连续放电电流(ID)

    200mA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    25V

  • 场效应管技术

    JUNCTION

  • 漏源电阻

    6Ohm

  • 漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)

    200mA @ 15V

  • 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)

    2V @ 1μA

  • 电阻-RDS(On)

    6Ohm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

右边的3个型号有着和ON Semiconductor & J106相似的参数规格。

  • 图片
    产品型号
    品牌
    Mount
    Package / Case
    Drain to Source Voltage (Vdss)
    Continuous Drain Current (ID)
    Drain to Source Resistance
    Max Power Dissipation
    Power Dissipation
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    查看对比:
  • J106

    J106

    ON Semiconductor

    Through Hole

    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

    25 V

    200 mA

    6 Ω

    625 mW

    625 mW

    25 V

  • J105
    J105

    ON Semiconductor

    Through Hole

    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

    25 V

    500 mA

    3 Ω

    625 mW

    625 mW

    -25 V

    J106
    VS
    J105
  • PN5432
    PN5432

    ON Semiconductor

    Through Hole

    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

    25 V

    100 mA

    8 Ω

    625 mW

    625 mW

    -25 V

    J106
    VS
    PN5432
  • J107
    J107

    ON Semiconductor

    Through Hole

    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

    25 V

    10 mA

    5 Ω

    350 mW

    350 mW

    25 V

    J106
    VS
    J107

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
优势产品

选择时请仔细核对商品参数信息

MMBFJ177LT1G

型号：MMBFJ177LT1G

封装：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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