ON Semiconductor J111-D26Z
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J111-D26Z
1807-J111-D26Z
晶体管 - JFET
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
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JFET Transistor, JFET, -35 V, 20 mA, -10 V, TO-226AA, JFET
--最小包装量--
J111-D26Z详情
ON Semiconductor J111-D26Z重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
38 Weeks
触点镀层
Copper, Silver, Tin
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
引脚数
3
质量
201mg
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
电压 - 额定直流
35V
最大功率耗散
625mW
端子位置
BOTTOM
额定电流
50mA
基本部件号
J111
元素配置
Single
操作模式
DEPLETION MODE
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
漏源电压 (Vdss)
35V
连续放电电流(ID)
20mA
栅极至源极电压(Vgs)
-35V
输入电容
7pF
场效应管技术
JUNCTION
反馈上限-最大值 (Crss)
5 pF
漏极电流(Idss) @ Vds (Vgs=0)
20mA @ 15V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)
3V @ 1μA
电阻-RDS(On)
30Ohm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
J111-D26Z拓展信息
ON Semiconductor
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