ON Semiconductor J113
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J113
1807-J113
晶体管 - JFET
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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JFET N-CH 35V 625MW TO92
--最小包装量--
J113详情
ON Semiconductor J113重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)
工厂交货时间
6 Weeks
触点镀层
Copper, Silver, Tin
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
引脚数
3
供应商器件包装
TO-92-3
质量
201mg
Breakdown Voltage / V
-35V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Bulk
已出版
2006
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
35V
最大功率耗散
625mW
额定电流
50mA
基本部件号
J113
通道数量
1
元素配置
Single
功率耗散
625mW
功率 - 最大
625mW
场效应管类型
N-Channel
漏源电压 (Vdss)
35V
连续放电电流(ID)
2mA
栅极至源极电压(Vgs)
-35V
最大结点温度(Tj)
150°C
漏源电阻
100Ohm
漏极电流(Idss) @ Vds (Vgs=0)
2mA @ 15V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)
500mV @ 1μA
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)
35V
电阻-RDS(On)
100Ohms
高度
5.33mm
长度
5.2mm
宽度
4.19mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
J113拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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