ON Semiconductor KSA1220AYS

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 23 hours ago)

工厂交货时间

19 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

引脚数

3

质量

761mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-400mV

Current-Collector (Ic) (Max)

1.2A

Number of Elements

1

hFEMin

160

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2001

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-160V

最大功率耗散

20W

额定电流

-1.2A

频率

175MHz

基本部件号

KSA1220

元素配置

Single

功率耗散

1.2W

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

175MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

-160V

最大集电极电流

-1.2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

160 @ 300mA 5V

最大集极截止电流

1μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

700mV @ 200mA, 1A

转换频率

175MHz

最大击穿电压

160V

集电极基极电压(VCBO)

-160V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

最大结点温度（Tj）

150°C

高度

14.2mm

长度

8mm

宽度

3.25mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅