ON Semiconductor KSA473YTU

工厂交货时间

2 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-300mV

Number of Elements

1

hFEMin

70

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

2007

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-30V

最大功率耗散

10W

额定电流

-3A

频率

100MHz

基本部件号

KSA473

元素配置

Single

功率耗散

10W

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

100MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 500mA 2V

最大集极截止电流

1μA ICBO

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

800mV @ 200mA, 2A

转换频率

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

-30V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

高度

9.4mm

长度

10.67mm

宽度

4.83mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅