ON Semiconductor KSB564AYBU

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

供应商器件包装

TO-92-3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

25V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-500mV

Current-Collector (Ic) (Max)

1A

hFEMin

70

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

-25V

最大功率耗散

800mW

额定电流

-1A

基本部件号

KSB564

极性

PNP

元素配置

Single

功率 - 最大

800mW

增益带宽积

110MHz

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

500mV

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 100mA 1V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 100mA, 1A

电压 - 集射极击穿（最大值）

25V

频率转换

110MHz

集电极基极电压(VCBO)

-30V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅