ON Semiconductor KSB811YTA

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 Short Body

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

25V

Number of Elements

1

hFEMin

70

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Box (TB)

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

-25V

最大功率耗散

350mW

额定电流

-1A

频率

110MHz

基本部件号

KSB811

元素配置

Single

功率耗散

350mW

增益带宽积

110MHz

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

500mV

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 100mA 1V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 100mA, 1A

集电极基极电压(VCBO)

-30V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅