ON Semiconductor KSC1845EBU

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

质量

178.2mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

120V

Collector-Emitter Saturation Voltage

70mV

Number of Elements

1

hFEMin

200

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

120V

最大功率耗散

500mW

额定电流

50mA

频率

110MHz

基本部件号

KSC1845

元素配置

Single

功率耗散

500mW

增益带宽积

110MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

120V

最大集电极电流

50mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

400 @ 1mA 6V

最大集极截止电流

50nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 1mA, 10mA

集电极基极电压(VCBO)

120V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅