注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥6.819465
10
¥6.433457
100
¥6.069299
500
¥5.725754
1000
¥5.401655
ON Semiconductor KSC1845FTA
- 收藏
- 对比
KSC1845FTA
1807-KSC1845FTA
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
大陆
立即发货

Trans GP BJT NPN 120V 0.05A 3-Pin TO-92 Ammo
--最小包装量--
¥
总价: ¥
KSC1845FTA详情
ON Semiconductor KSC1845FTA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
6 Weeks
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
安装类型
通孔
底架
通孔
触点镀层
Tin
引脚数
3
质量
240mg
晶体管元件材料
SILICON
hFEMin
200
Number of Elements
1
Collector-Emitter Saturation Voltage
70mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage
120V
已出版
2002
包装
Tape & Box (TB)
操作温度
150°C TJ
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
120V
最大功率耗散
500mW
端子位置
BOTTOM
额定电流
50mA
频率
110MHz
基本部件号
KSC1845
元素配置
Single
功率耗散
500mW
晶体管应用
AMPLIFIER
增益带宽积
110MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
120V
最大集电极电流
50mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
300 @ 1mA 6V
最大集极截止电流
50nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 1mA, 10mA
转换频率
110MHz
最大击穿电压
120V
集电极基极电压(VCBO)
120V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
宽度
3.86mm
长度
4.58mm
高度
4.58mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
KSC1845FTA拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor







哦! 它是空的。