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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥15.705136
10
¥14.816167
100
¥13.977516
500
¥13.186331
1000
¥12.439941
ON Semiconductor KSC2073H2TU
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- 对比
KSC2073H2TU
1807-KSC2073H2TU
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-220-3
大陆
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Trans GP BJT NPN 150V 1.5A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Rail
--最小包装量--
¥
总价: ¥
KSC2073H2TU详情
ON Semiconductor KSC2073H2TU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
2 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
质量
1.8g
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
150V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1V
Number of Elements
1
hFEMin
40
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
150V
最大功率耗散
25W
额定电流
1.5A
频率
4MHz
基本部件号
KSC2073
元素配置
Single
功率耗散
25W
晶体管应用
AMPLIFIER
增益带宽积
4MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
150V
最大集电极电流
1.5A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
60 @ 500mA 10V
最大集极截止电流
10μA ICBO
JEDEC-95代码
TO-220AB
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1V @ 50mA, 500mA
转换频率
4MHz
集电极基极电压(VCBO)
150V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
KSC2073H2TU拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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