ON Semiconductor KSC2682YSTU

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

180V

Number of Elements

1

hFEMin

100

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

180V

最大功率耗散

1.2W

额定电流

100mA

频率

200MHz

基本部件号

KSC2682

元素配置

Single

功率耗散

1.2W

增益带宽积

200MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

180V

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

160 @ 10mA 5V

最大集极截止电流

1μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 5mA, 50mA

集电极基极电压(VCBO)

180V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅