ON Semiconductor KSC5502DTTU

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

2 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Current-Collector (Ic) (Max)

2A

Number of Elements

1

hFEMin

12

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

50W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

KSC5502

资历状况

不合格

元素配置

Single

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

11MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

4 @ 1A 1V

最大集极截止电流

100μA

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 200mA, 1A

转换频率

11MHz

集电极基极电压(VCBO)

1.2kV

发射极基极电压 (VEBO)

12V

RoHS状态

ROHS3 Compliant