ON Semiconductor KSC5502TU

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

5 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Collector-Emitter Saturation Voltage

3V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

hFEMin

12

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

50W

基本部件号

KSC5502

元素配置

Single

功率耗散

50W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

12 @ 500mA 2.5V

最大集极截止电流

100μA

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 200mA, 1A

最高频率

1MHz

集电极基极电压(VCBO)

1.2kV

发射极基极电压 (VEBO)

12V

高度

9.4mm

长度

10.67mm

宽度

4.83mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅