ON Semiconductor KSC900GTA

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

引脚数

3

供应商器件包装

TO-92-3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

25V

Collector-Emitter Saturation Voltage

100mV

Current-Collector (Ic) (Max)

50mA

Number of Elements

1

hFEMin

120

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Box (TB)

已出版

2002

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

25V

最大功率耗散

250mW

额定电流

50mA

频率

100MHz

基本部件号

KSC900

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

250mW

功率 - 最大

250mW

增益带宽积

100MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

25V

最大集电极电流

50mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 500μA 3V

最大集极截止电流

50nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

200mV @ 2mA, 20mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

25V

频率转换

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

30V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅