ON Semiconductor KSC945CGTA

生命周期状态

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工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

引脚数

3

质量

240mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

150mV

Number of Elements

1

hFEMin

40

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Box (TB)

已出版

2002

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

50V

最大功率耗散

250mW

端子位置

BOTTOM

额定电流

150mA

频率

300MHz

基本部件号

KSC945

元素配置

Single

功率耗散

250mW

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

300MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

150mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 1mA 6V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 10mA, 100mA

转换频率

300MHz

最大击穿电压

50V

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

4.58mm

长度

4.58mm

宽度

3.86mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅