ON Semiconductor KSD1589YTU

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5V

Number of Elements

1

hFEMin

5000

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

2003

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

100V

最大功率耗散

1.5W

额定电流

5A

极性

NPN

元素配置

Single

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最大集电极电流

5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

5000 @ 3A 2V

最大集极截止电流

1μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 3mA, 3A

集电极基极电压(VCBO)

150V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

连续集电极电流

5A

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅