ON Semiconductor KSD362R

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

70V

Number of Elements

1

hFEMin

20

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

电压 - 额定直流

70V

最大功率耗散

40W

额定电流

5A

频率

10MHz

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

功率耗散

40W

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

10MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

70V

最大集电极电流

5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 5A 5V

最大集极截止电流

20μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 500mA, 5A

转换频率

10MHz

集电极基极电压(VCBO)

150V

发射极基极电压 (VEBO)

8V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅