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价格梯度

内地含税价

1

￥1.000315
10

￥0.94369
100

￥0.890276
500

￥0.839881
1000

￥0.792341

ON Semiconductor KSD1616GBU

Name: KSD1616GBU
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-KSD1616GBU
Price: 1 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

KSD1616GBU

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-KSD1616GBU

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS NPN 50V 1A TO-92

起订量

--最小包装量--

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KSD1616GBU ON Semiconductor TRANS NPN 50V 1A TO-92

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KSD1616GBU详情

技术参数

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型号对比

ON Semiconductor KSD1616GBU重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

通孔
安装类型

通孔
包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
引脚数

3
质量

179mg
Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V
Collector-Emitter Saturation Voltage

150mV
Number of Elements

1
hFEMin

135
操作温度

150°C TJ
包装

Bulk
零件状态

Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
电压 - 额定直流

50V
最大功率耗散

750mW
额定电流

1A
频率

160MHz
基本部件号

KSD1616
元素配置

Single
功率耗散

750mW
增益带宽积

160MHz
晶体管类型

NPN
集电极发射器电压(VCEO)

50V
最大集电极电流

1A
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 100mA 2V
最大集极截止电流

100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 50mA, 1A
集电极基极电压(VCBO)

60V
发射极基极电压 (VEBO)

6V
RoHS状态

符合RoHS标准
无铅

无铅

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KSD1616GBU拓展信息

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