ON Semiconductor KSD2012GTU

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

14 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

引脚数

3

质量

2.27g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Collector-Emitter Saturation Voltage

400mV

Number of Elements

1

hFEMin

100

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

2000

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

60V

最大功率耗散

25W

额定电流

3A

频率

3MHz

元素配置

Single

功率耗散

25W

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

3MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

60V

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

150 @ 500mA 5V

最大集极截止电流

100μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 200mA, 2A

转换频率

3MHz

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

高度

15.87mm

长度

10.16mm

宽度

2.54mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅