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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.121347
10
¥2.944666
100
¥2.777984
500
¥2.620741
1000
¥2.472395
ON Semiconductor KSD2012YTU
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- 对比
KSD2012YTU
1807-KSD2012YTU
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-220-3 Full Pack
大陆
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TRANS NPN 60V 3A TO-220F
--最小包装量--
¥
总价: ¥
KSD2012YTU详情
ON Semiconductor KSD2012YTU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
Collector-Emitter Saturation Voltage
400mV
hFEMin
100
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电压 - 额定直流
60V
最大功率耗散
25W
额定电流
3A
元素配置
Single
增益带宽积
3MHz
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
60V
最大集电极电流
3A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 500mA 5V
最大集极截止电流
100μA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1V @ 200mA, 2A
集电极基极电压(VCBO)
60V
发射极基极电压 (VEBO)
7V
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
KSD2012YTU拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor







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