ON Semiconductor KSD471AYBU

生命周期状态

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工厂交货时间

6 Weeks

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

质量

179mg

晶体管元件材料

SILICON

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

130MHz

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

hFEMin

120

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

800mW

已出版

2007

包装

Bulk

操作温度

150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

30V

端子位置

BOTTOM

额定电流

1A

频率

130MHz

基本部件号

KSD471

元素配置

Single

功率耗散

800mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 100mA 1V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 100mA, 1A

转换频率

130MHz

集电极基极电压(VCBO)

40V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

无铅

无铅