ON Semiconductor KSD5018TU

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

供应商器件包装

TO-220-3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

275V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5V

Current-Collector (Ic) (Max)

4A

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

275V

最大功率耗散

40W

额定电流

4A

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

40W

功率 - 最大

40W

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

275V

最大集电极电流

4A

最大集极截止电流

1mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 20mA, 3A

电压 - 集射极击穿（最大值）

275V

集电极基极电压(VCBO)

600V

发射极基极电压 (VEBO)

10V

连续集电极电流

4A

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅