ON Semiconductor BUT11AFTU
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BUT11AFTU
1807-BUT11AFTU
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-220-3 Full Pack
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Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor
--最小包装量--
BUT11AFTU详情
ON Semiconductor BUT11AFTU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
2 Weeks
触点镀层
Tin
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
引脚数
3
质量
2.270003g
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
400V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5V
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
已出版
2001
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
450V
最大功率耗散
40W
额定电流
5A
基本部件号
BUT11
电压
450V
元素配置
Single
电流
5A
功率耗散
40W
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
450V
最大集电极电流
5A
最大集极截止电流
1mA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.5V @ 500mA, 2.5A
转换频率
4MHz
最大击穿电压
450V
集电极基极电压(VCBO)
1kV
发射极基极电压 (VEBO)
9V
高度
15.87mm
长度
10.16mm
宽度
4.7mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BUT11AFTU拓展信息
ON Semiconductor
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