ON Semiconductor KSD526Y

工厂交货时间

2 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

hFEMin

40

Number of Elements

1

Collector-Emitter Saturation Voltage

450mV

已出版

2006

包装

Bulk

操作温度

150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

80V

最大功率耗散

30W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

4A

频率

8MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

KSD526

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

30W

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

8MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

4A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 500mA 5V

最大集极截止电流

30μA ICBO

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 300mA, 3A

转换频率

8MHz

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅