ON Semiconductor KSD560YTU

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

4 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5V

Number of Elements

1

hFEMin

2000

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

2000

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

100V

最大功率耗散

1.5W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

5A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

KSD560

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Single

晶体管应用

AMPLIFIER

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最大集电极电流

5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

5000 @ 3A 2V

最大集极截止电流

1μA ICBO

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 3mA, 3A

集电极基极电压(VCBO)

150V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

连续集电极电流

5A

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅