ON Semiconductor KSH127TM

生命周期状态

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工厂交货时间

6 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

质量

260.37mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2V

Number of Elements

1

hFEMin

1000

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2016

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-100V

最大功率耗散

1.75W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

-8A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

KSH127

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

极性

PNP

元素配置

Single

功率 - 最大

1.75W

晶体管类型

PNP - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最大集电极电流

8A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1000 @ 4A 4V

最大集极截止电流

10μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

4V @ 80mA, 8A

最大击穿电压

100V

集电极基极电压(VCBO)

-100V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅